|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HAT2054MОсновные параметры полевого транзистора HAT2054M - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 40mS
- Входная емкость (Сiss): 620pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 13 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: TSOP-6
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDS4953 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | | 5A | | | 0.053 Ом | SO8 | FDS6630A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 6.5A | | | 0.038 Ом | SO8 | FDS6912 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | FDS6912A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | FDS6930A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.5A | | | 0.04 Ом | SO8 | FDS6975 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.032 Ом | SO8 | FDS6990A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 7.5A | | | 0.018 Ом | SO8 | FDS8926A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.5A | | | 0.03 Ом | SO8 | FDS8936A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | FDS9412 |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 7.9A | | | 0.022 Ом | SO8 | FDS9435A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 5.3A | | | 0.045 Ом | SO8 | FDS9936A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.5A | | | 0.04 Ом | SO8 | HAT2065R |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | ±20V | 7.5A | 50mS | 530pF | 12 Ом | SOP-8 | NDS8435A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 7.9A | | | 0.023 Ом | SO8 | NDS8936 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.3A | | | 0.035 Ом | SO8 | NDS9410A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 7.3A | | | 0.028 Ом | SO8 | NDS9435A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 5.3A | | | 0.05 Ом | SO8 | NDS9936 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5A | | | 0.05 Ом | SO8 | Si4831DY |
FET | P-Channel | 2W | 30V | | | 5A | 10nS | | 0.090 Ом | SOIC-8 | |
|
|
|