vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF130
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF130

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 45A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 35/60nS
    • Входная емкость (Сiss): 650pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.21 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK3151 MOSFETN-Channel125W100V ±20V50A 4000pF15 ОмTO3-P
    IRF150 MOSFETN-Channel150W100V 38A65/190nS3700pF0.055 ОмTO3
    IRF550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмTO-220
    IRFI550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмI2PAK
    IRFW550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмTO-263
    NDB710A MOSFETN-Channel150W100V 42A 0.038 ОмTO-263
    NDP710A MOSFETN-Channel150W100V 42A 0.038 ОмTO-220
    SSF70N10A MOSFETN-Channel120W100V 44A195nS3750pF0.023 ОмTO-3PF
    STP40N10 MOSFETN-Channel150W100V 40A 0.040 ОмTO-220
    STV40N10 MOSFETN-Channel150W100V 40A 0.040 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика