vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STV40N10

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора STV40N10

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.040 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: PowerSO-10
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6916	MOSFET	N-channel	125W	100V			32A		2000pF	0.06 Ом	TO-3
BUZ24	MOSFET	N-Channel	125W	100V			32A	-	-	0.06 Ом	TO3
IRF130	MOSFET	N-Channel	150W	100V			45A	35/60nS	650pF	0.21 Ом	TO3
IRF150	MOSFET	N-Channel	150W	100V			38A	65/190nS	3700pF	0.055 Ом	TO3
IRF550A	MOSFET	N-Channel	167W	100V			40A	97nS	1750pF	0.04 Ом	TO-220
IRFI550A	MOSFET	N-Channel	167W	100V			40A	97nS	1750pF	0.04 Ом	I2PAK
IRFM150	MOSFET	N-Channel	150W	100V			34A	35/170nS	3700pF	0.07 Ом	TO254
IRFP152	MOSFET	N-Channel	150W	100V			34A	-	-	0.08 Ом	SOT93
IRFW550A	MOSFET	N-Channel	167W	100V			40A	97nS	1750pF	0.04 Ом	TO-263
NDB710A	MOSFET	N-Channel	150W	100V			42A			0.038 Ом	TO-263
NDP710A	MOSFET	N-Channel	150W	100V			42A			0.038 Ом	TO-220
SSF70N10A	MOSFET	N-Channel	120W	100V			44A	195nS	3750pF	0.023 Ом	TO-3PF
SSP45N20A	MOSFET	N-Channel	176W	100V			35A	152nS	3030pF	0.065 Ом	TO-220
STP33N10	MOSFET	N-Channel	150W	100V			33A			0.060 Ом	TO-220
STP40N10	MOSFET	N-Channel	150W	100V			40A			0.040 Ом	TO-220
STV33N10	MOSFET	N-Channel	150W	100V			33A			0.060 Ом	PowerSO-10