|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF550AОсновные параметры полевого транзистора IRF550A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 167W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 97nS
- Входная емкость (Сiss): 1750pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.04 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF130 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 45A | 35/60nS | 650pF | 0.21 Ом | TO3 | IRF150 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 38A | 65/190nS | 3700pF | 0.055 Ом | TO3 | IRFI550A |
MOSFET | N-Channel | 167W | 100V | | | 40A | 97nS | 1750pF | 0.04 Ом | I2PAK | IRFM150 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 34A | 35/170nS | 3700pF | 0.07 Ом | TO254 | IRFP150A |
MOSFET | N-Channel | 193W | 100V | | | 43A | 97nS | 1750pF | 0.04 Ом | TO-3P | IRFP152 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 34A | - | - | 0.08 Ом | SOT93 | IRFW550A |
MOSFET | N-Channel | 167W | 100V | | | 40A | 97nS | 1750pF | 0.04 Ом | TO-263 | NDB710A |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 42A | | | 0.038 Ом | TO-263 | NDP710A |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 42A | | | 0.038 Ом | TO-220 | SSP45N20A |
MOSFET | N-Channel | 176W | 100V | | | 35A | 152nS | 3030pF | 0.065 Ом | TO-220 | STP33N10 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 33A | | | 0.060 Ом | TO-220 | STP40N10 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 40A | | | 0.040 Ом | TO-220 | STV33N10 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 33A | | | 0.060 Ом | PowerSO-10 | STV40N10 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 100V | | | 40A | | | 0.040 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|