vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9Z24
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF9Z24

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ539 MOSFETP-Channel40W60V ±20V10A 400pF0.23 ОмTO-220AB
    FDD5202P MOSFETP-Channel39W60V 8A22nS560pF0.3 ОмDPAK
    IRF9Z20 MOSFETP-Channel40W50V 9.8A TO-220
    IRF9Z22 MOSFETP-Channel40W50V 8.9A TO-220
    IRF9Z25 MOSFETP-Channel40W60V 8.9A TO-220
    IRFR9020 MOSFETP-Channel42W50V 9.9A D-PAK
    IRFR9022 MOSFETP-Channel42W50V 9A D-PAK
    IRFS9131 MOSFETP-Channel42W60V 8.3A TO-3P
    IRFS9533 MOSFETP-Channel35W60V 10A TO-220
    IRFU9020 MOSFETP-Channel42W50V 9.9A I-PAK
    IRFU9022 MOSFETP-Channel42W50V 9A I-PAK
    IRFZ14 MOSFETN-Channel43W60V 10A TO-220
    IRFZ15 MOSFETN-Channel43W60V 8.3A TO-220
    STP15N06LFI MOSFETN-Channel35W60V 10A 0.150 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика