Справка

Основные параметры полевого транзистора 2SJ539

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: P-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 400pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.23 Ом
  
• Производитель: HITACHI
  
• Тип корпуса: TO-220AB
• Найти datasheet