vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP242
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP242

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 16A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7219 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS1300pF0.18 ОмTO254
    IRF240 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS-0.21 ОмTO3
    IRF640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмTO-220
    IRF642 MOSFETN-Channel125W200V 16A98/122nS TO-220
    IRFI640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмI2PAK
    IRFM240 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS1300pF0.18 ОмTO254
    IRFW640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмTO-263
    IRL640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-220
    IRLI640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмI2PAK
    IRLW640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-263
    SDF240 MOSFETN-Channel100W200V 18A 0.2 ОмN/A
    STV18N20 MOSFETN-Channel125W200V 18A 0.180 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика