vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STV18N20
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STV18N20

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.180 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: PowerSO-10
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7219 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS1300pF0.18 ОмTO254
    IRF240 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS-0.21 ОмTO3
    IRF640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмTO-220
    IRF642 MOSFETN-Channel125W200V 16A98/122nS TO-220
    IRFI640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмI2PAK
    IRFM240 MOSFETN-Channel125W200V 18A20/58nS1300pF0.18 ОмTO254
    IRFP242 MOSFETN-Channel125W200V 16A TO-3P
    IRFW640A MOSFETN-Channel139W200V 18A58nS1160pF0.18 ОмTO-263
    IRL640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-220
    IRLI640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмI2PAK
    IRLW640A MOSFETN-Channel110W200V 18A56nS1310pF0.18 ОмTO-263
    SDF240 MOSFETN-Channel100W200V 18A 0.2 ОмN/A
    Яндекс.Метрика