vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS150
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS150

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 70W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 27.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFN140 MOSFETN-Channel75W100V 22A21/64nS1660pF0.125 ОмTO220SM
    IRFS140A MOSFETN-Channel72W100V 23A78nS1320pF0.052 ОмTO-3PF
    IRFS151 MOSFETN-Channel70W80V 27.5A TO-3P
    IRFS152 MOSFETN-Channel70W100V 23.5A TO-3P
    IRFS153 MOSFETN-Channel70W80V 23.5A TO-3P
    Яндекс.Метрика