|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3152Основные параметры полевого транзистора 2SK3152 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 120V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 580pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 130 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: TO-220FM
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6796SM |
MOSFET | N-Channel | 25W | 100V | | | 8A | - | - | 0.18 Ом | TO220SM | 2SK1186 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 100V | | | 9A | | 350pF | 0.27 Ом | FM20 | 2SK2778 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 100V | | | 12A | | 740pF | 0.175 Ом | FM20 | 2SK3212 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 100V | | ±20V | 10A | | 420pF | 130 Ом | TO-220FM | IRFF130 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 100V | | | 8A | 30/40nS | 650pF | 0.207 Ом | TO39 | IRFS520 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 100V | | | 9.2A | | | | TO-220 | IRFS522 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 100V | | | 8A | | | | TO-220 | |
|
|
|