vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFN24N100
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXFN24N100

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 24A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.39 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: SOT227B
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFH20N80Q MOSFETN-Channel 800V 20A 0.42 ОмTO247
    IXFK20N80Q MOSFETN-Channel 800V 20A 0.42 ОмTO264
    IXFK26N90 MOSFETN-Channel 900V 26A 0.3 ОмTO264
    IXFK27N80 MOSFETN-Channel 800V 27A 0.32 ОмTO264
    IXFN25N90 MOSFETN-Channel 900V 25A 0.33 ОмSOT227B
    IXFN26N90 MOSFETN-Channel 900V 26A 0.3 ОмSOT227B
    IXFN27N80 MOSFETN-Channel 800V 27A 0.30 ОмSOT227B
    IXFR24N100 MOSFETN-Channel 1000V 22A 0.39 ОмTO247
    IXFT20N80Q MOSFETN-Channel 800V 20A 0.42 ОмTO268
    IXFT24N100 MOSFETN-Channel 1000V 24A 0.39 ОмTO268
    IXFX24N100 MOSFETN-Channel 1000V 24A 0.39 ОмTO247
    IXFX26N90 MOSFETN-Channel 900V 26A 0.3 ОмTO247
    IXTH13N110 MOSFETN-Channel 1100V 23A 0.92 ОмTO247
    IXTK21N100 MOSFETN-Channel 1000V 21A 0.55 ОмTO264
    IXTN21N100 MOSFETN-Channel 1000V 21A 0.55 ОмSOT227
    Яндекс.Метрика