vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXTM5N100
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXTM5N100

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.4 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO204
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFH4N100Q MOSFETN-Channel 1000V 4A 2.8 ОмTO247
    IXFH6N100 MOSFETN-Channel 1000V 6A 2.0 ОмTO247
    IXFH6N100Q MOSFETN-Channel 1000V 6A 2.0 ОмTO247
    IXFH6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.80 ОмTO247
    IXFM6N100 MOSFETN-Channel 1000V 6A 2.0 ОмTO268
    IXFM6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.80 ОмTO268
    IXFT4N100Q MOSFETN-Channel 1000V 4A 2.8 ОмTO268
    IXFT6N100Q MOSFETN-Channel 1000V 6A 2.0 ОмTO268
    IXTH5N100 MOSFETN-Channel 1000V 5A 2.4 ОмTO247
    IXTH5N100A MOSFETN-Channel 1000V 5A 2.0 ОмTO247
    IXTH6N80 MOSFETN-Channel 800V 6A 1.8 ОмTO247
    IXTH6N80A MOSFETN-Channel 800V 6A 1.4 ОмTO247
    IXTH6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.8 ОмTO247
    IXTH6N90A MOSFETN-Channel 900V 6A 1.4 ОмTO247
    IXTM5N100A MOSFETN-Channel 1000V 5A 2.0 ОмTO204
    IXTM6N80 MOSFETN-Channel 800V 6A 1.8 ОмTO204
    IXTM6N80A MOSFETN-Channel 800V 6A 1.4 ОмTO204
    IXTM6N90 MOSFETN-Channel 900V 6A 1.8 ОмTO204
    IXTM6N90A MOSFETN-Channel 900V 6A 1.4 ОмTO204
    RF1S4N100SM MOSFETN-Channel 1000V 4.3A 3.500 ОмN/A
    RFP4N100 MOSFETN-Channel 1000V 4.3A 3.500 ОмN/A
    Яндекс.Метрика