vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SJ543
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SJ543

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 1750pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.065 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ542 MOSFETP-Channel60W60V ±20V18A 1300pF0.07 ОмTO-220AB
    2SJ551 MOSFETP-Channel60W60V ±20V18A 1300pF0.07 ОмLDPAK
    2SJ552 MOSFETP-Channel75W60V ±20V20A 1750pF0.065 ОмLDPAK
    BUK7535-55 MOSFETN-Channel85W55V 17A 0.035 ОмSOT78
    BUK7635-55 MOSFETN-Channel85W55V 17A 0.035 ОмSOT404
    BUK9535-55 MOSFETN-Channel85W55V 17A 0.035 ОмSOT78
    BUK9635-55 MOSFETN-Channel85W55V 17A 0.035 ОмSOT404
    BUZ10A MOSFETN-Channel75W50V 17A--0.12 ОмTO220M
    IRF9Z30 MOSFETP-Channel75W50V 18A TO-220
    IRF9Z34 MOSFETP-Channel75W60V 18A TO-220
    IRFY044 MOSFETN-Channel60W60V 20A23/81nS2400pF0.035 ОмTO220M
    IRFY044C MOSFETN-Channel60W60V 20A23/81nS24000.035 ОмTO220MC
    SFI9Z34 MOSFETP-Channel82W60V 18A38nS890pF0.14 ОмI2PAK
    SFP9Z34 MOSFETP-Channel82W60V 18A38nS890pF0.14 ОмTO-220
    SFW9Z34 MOSFETP-Channel82W60V 18A38nS890pF0.14 ОмTO-263
    STK18N05 MOSFETN-Channel60W50V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N05L MOSFETN-Channel60W50V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N06 MOSFETN-Channel60W60V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK18N06L MOSFETN-Channel60W60V 18A 0.085 ОмSOT-82
    STK22N05 MOSFETN-Channel65W50V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK22N06 MOSFETN-Channel65W60V 22A 0.065 ОмSOT-82
    STK23N05L MOSFETN-Channel65W50V 23A 0.055 ОмSOT-82
    STK23N06L MOSFETN-Channel65W60V 23A 0.055 ОмSOT-82
    STP19N06 MOSFETN-Channel80W60V 19A 0.100 ОмTO-220
    STP19N06L MOSFETN-Channel80W60V 19A 0.100 ОмTO-220
    STP20N06 MOSFETN-Channel80W60V 20A 0.085 ОмTO-220
    STP21N05L MOSFETN-Channel80W50V 21A 0.085 ОмTO-220
    STP21N06L MOSFETN-Channel80W60V 21A 0.085 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика