vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDB6030L

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора NDB6030L

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 52A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0135 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: TO-263
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2SK2885	MOSFET	N-Channel	75	30V		±20V	45A		1550pF	- Ом	LDPAK
2SK2957	MOSFET	N-Channel	75	30V		±20V	50A		2000pF	- Ом	LDPAK
2SK2959	MOSFET	N-Channel	75W	30V		±20V	50A		2000pF	0.012 Ом	TO-220AB
2SK3081	MOSFET	N-Channel	75W	30V		±20V	45A		1550pF	0.015 Ом	TO-220AB
FDB6030L	MOSFET	N-Channel	75W	30V			52A			0.0135 Ом	TO-263
FDB6035L	MOSFET	N-Channel	75W	30V			58A			0.011 Ом	TO-263
FDB7030BL	MOSFET	N-Channel	65W	30V			60A			0.0085 Ом	TO-263
FDD6030L	MOSFET	N-Channel	60W	30V			50A	50nS	1230pF	0.0145 Ом	DPAK
FDD6680	MOSFET	N-Channel	60W	30V			55A	27nS	2070pF	0.01 Ом	DPAK
FDD6680A	MOSFET	N-Channel	60W	30V			56A	33nS	2180pF	0.0095 Ом	DPAK
FDP6030L	MOSFET	N-Channel	75W	30V			52A			0.0135 Ом	TO-220
FDP6035L	MOSFET	N-Channel	75W	30V			58A			0.011 Ом	TO-220
FDP7030BL	MOSFET	N-Channel	65W	30V			60A			0.0085 Ом	TO-220
NDB6030	MOSFET	N-Channel	75W	30V			46A			0.018 Ом	TO-263
NDP6030	MOSFET	N-Channel	75W	30V			46A			0.018 Ом	TO-220
NDP6030L	MOSFET	N-Channel	75W	30V			52A			0.0135 Ом	TO-220