vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3081
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SK3081

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 45A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 1550pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.015 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2885 MOSFETN-Channel7530V ±20V45A 1550pF- ОмLDPAK
    2SK2957 MOSFETN-Channel7530V ±20V50A 2000pF- ОмLDPAK
    2SK2959 MOSFETN-Channel75W30V ±20V50A 2000pF0.012 ОмTO-220AB
    FDB6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-263
    FDB6030L MOSFETN-Channel75W30V 52A 0.0135 ОмTO-263
    FDD6030L MOSFETN-Channel60W30V 50A50nS1230pF0.0145 ОмDPAK
    FDP6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-220
    FDP6030L MOSFETN-Channel75W30V 52A 0.0135 ОмTO-220
    NDB6030 MOSFETN-Channel75W30V 46A 0.018 ОмTO-263
    NDB6030L MOSFETN-Channel75W30V 52A 0.0135 ОмTO-263
    NDP6030 MOSFETN-Channel75W30V 46A 0.018 ОмTO-220
    NDP6030L MOSFETN-Channel75W30V 52A 0.0135 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика