vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора RFG60P05E

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора RFG60P05E

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 60A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.030 Ом
Производитель: INTERSIL
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
FSJ055D	MOSFET	N-Channel		60V			70A			0.012 Ом	TO254AA
FSJ055R	MOSFET	N-Channel		60V			70A			0.012 Ом	TO254AA
HRFZ44N	MOSFET	N-Channel		55V			49A			0.022 Ом	N/A
HUF75332G3	MOSFET	N-Channel		55V			60A			0.019 Ом	N/A
HUF75332P3	MOSFET	N-Channel		55V			60A			0.019 Ом	N/A
HUF75332S3S	MOSFET	N-Channel		55V			60A			0.019 Ом	N/A
HUF76432P3	MOSFET	N-Channel		60V			56A			0.021 Ом	N/A
HUF76432S3S	MOSFET	N-Channel		60V			56A			0.021 Ом	N/A
HUF76437P3	MOSFET	N-Channel		60V			64A			0.017 Ом	N/A
HUF76437S3S	MOSFET	N-Channel		60V			64A			0.017 Ом	N/A
HUF76439P3	MOSFET	N-Channel		60V			71A			0.014 Ом	N/A
HUF76439S3S	MOSFET	N-Channel		60V			71A			0.014 Ом	N/A
RF1S50N06LESM	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RF1S50N06SM	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RF1S70N06SM	MOSFET	N-Channel		60V			70A			0.014 Ом	N/A
RFG50N05L	MOSFET	N-Channel		50V			50A			0.022 Ом	N/A
RFG50N06	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RFG50N06LE	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RFG60P06E	MOSFET	P-Channel		60V			60A			0.030 Ом	N/A
RFG70N06	MOSFET	N-Channel		60V			70A			0.014 Ом	N/A
RFP50N05L	MOSFET	N-Channel		50V			50A			0.022 Ом	N/A
RFP50N06	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RFP50N06LE	MOSFET	N-Channel		60V			50A			0.022 Ом	N/A
RFP70N06	MOSFET	N-Channel		60V			70A			0.014 Ом	N/A