|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSW4N80AОсновные параметры полевого транзистора SSW4N80A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 120W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 44nS
- Входная емкость (Сiss): 700pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-263
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT802R4KN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | 38nS | 790 | 2.400 Ом | N/A | BFC62 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | - | 790pF | 2.40 Ом | TO220 | SDF4N90JAA |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 4A | | | 2.4 Ом | N/A | SDF4N90JAB |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 4A | | | 2.4 Ом | N/A | SML802R4CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO254 | SML802R4GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4.3A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO257 | SML802R4KN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO220 | SML802R8CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO254 | SML802R8GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO257 | SSH4N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-3P | SSH4N70A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-3P | SSH4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-3P | SSH4N90AS |
MOSFET | N-Channel | 140W | 900V | | | 4.5A | 57nS | 910pF | 3.7 Ом | TO-3P | SSI4N80A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 800V | | | 4A | 44nS | 700pF | 4 Ом | I2PAK | SSI4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | I2PAK | SSI4N90A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 900V | | | 4A | 48nS | 730pF | 5 Ом | I2PAK | SSI4N90AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 900V | | | 4.5A | 57nS | 910pF | 3.7 Ом | I2PAK | SSP4N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-220 | SSP4N70A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-220 | SSP4N80A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 800V | | | 4A | 44nS | 700pF | 4 Ом | TO-220 | SSP4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-220 | SSP4N90A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 900V | | | 4A | 48nS | 730pF | 5 Ом | TO-220 | SSP4N90AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 900V | | | 4.5A | 57nS | 910pF | 3.7 Ом | TO-220 | SSW4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-263 | SSW4N90A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 900V | | | 4A | 48nS | 730pF | 5 Ом | TO-263 | SSW4N90AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 900V | | | 4.5A | 57nS | 910pF | 3.7 Ом | TO-263 | STP5NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.8A | | | 2.400 Ом | TO-220 | STV5NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | | | 2.400 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|