vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF9NA80

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора SDF9NA80

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
Производитель: SOLITRON
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BFC45	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	-	1500pF	1.25 Ом	TO247
SML801R2AN	MOSFET	N-Channel	198W	800V			8A	26/81nS	1800pF	1.2 Ом	TO3
SML801R2BN	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	26/81nS	1800pF	1.2 Ом	TO247
SML801R4BN	MOSFET	N-Channel	240W	800V			8.5A	26/81nS	1800pF	1.4 Ом	TO247
SML8090AN	MOSFET	N-Channel	230W	800V			10.5A	27/94nS	2950pF	0.9 Ом	TO3
SML8090HN	MOSFET	N-Channel	250W	800V			10.5A	30/96nS	2950pF	0.9 Ом	TO258
SSH10N80A	MOSFET	N-Channel	280W	800V			10A	172nS	2700pF	0.95 Ом	TO-3P
SSH10N90A	MOSFET	N-Channel	280W	900V			10A	176nS	2770pF	1.2 Ом	TO-3P
SSH8N80A	MOSFET	N-Channel	240W	800V			8A	127nS	2020pF	1.5 Ом	TO-3P
SSH8N90A	MOSFET	N-Channel	240W	900V			8A	130nS	2070pF	1.6 Ом	TO-3P
SSH9N80A	MOSFET	N-Channel	240W	800V			9A	127nS	2020pF	1.3 Ом	TO-3P
SSH9N90A	MOSFET	N-Channel	280W	900V			9A	176nS	2770pF	1.4 Ом	TO-3P