vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH9N90A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH9N90A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 280W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 900V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 176nS
    • Входная емкость (Сiss): 2770pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT1001R6BN MOSFETN-Channel240W1000V 8A 1.600 ОмN/A
    BFC21 MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A-2460pF1.10 ОмTO264AA
    BFC45 MOSFETN-Channel240W800V 9A-1500pF1.25 ОмTO247
    SDF10N100JEA MOSFETN-Channel300W1000V 10A 1.2 ОмN/A
    SDF10N100JEB MOSFETN-Channel300W1000V 10A 1.2 ОмN/A
    SDF10N100JEC MOSFETN-Channel300W1000V 10A 1.2 ОмN/A
    SDF10N100JED MOSFETN-Channel300W1000V 10A 1.2 ОмN/A
    SDF10N100SXH MOSFETN-Channel300W1000V 10A 1.2 ОмN/A
    SDF10N90 MOSFETN-Channel300W900V 10A 1.1 ОмN/A
    SDF9NA80 MOSFETN-Channel240W800V 9A 1.4 ОмN/A
    SML1001R1AN MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.1 ОмTO3
    SML1001R1BN MOSFETN-Channel230W1000V 10.5A30/95nS2950pF1.1 ОмTO247
    SML1001R1HN MOSFETN-Channel250W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.1 ОмTO258
    SML1001R3AN MOSFETN-Channel230W1000V 8.5A30/95nS2950pF1.3 ОмTO3
    SML1001R3HN MOSFETN-Channel250W1000V 9.A30/95nS2950pF1.3 ОмTO258
    SML1001RAN MOSFETN-Channel230W1000V 9.5A30/95nS2950pF1.0 ОмTO3G100
    SML1001RHN MOSFETN-Channel250W1000V 10A30/95nS2950pF1.0 ОмTO258
    SML801R2BN MOSFETN-Channel240W800V 9A26/81nS1800pF1.2 ОмTO247
    SML801R4BN MOSFETN-Channel240W800V 8.5A26/81nS1800pF1.4 ОмTO247
    SML8090AN MOSFETN-Channel230W800V 10.5A27/94nS2950pF0.9 ОмTO3
    SML8090HN MOSFETN-Channel250W800V 10.5A30/96nS2950pF0.9 ОмTO258
    SSH10N80A MOSFETN-Channel280W800V 10A172nS2700pF0.95 ОмTO-3P
    SSH10N90A MOSFETN-Channel280W900V 10A176nS2770pF1.2 ОмTO-3P
    SSH8N80A MOSFETN-Channel240W800V 8A127nS2020pF1.5 ОмTO-3P
    SSH8N90A MOSFETN-Channel240W900V 8A130nS2070pF1.6 ОмTO-3P
    SSH9N80A MOSFETN-Channel240W800V 9A127nS2020pF1.3 ОмTO-3P
    Яндекс.Метрика