|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML801R2BNОсновные параметры полевого транзистора SML801R2BN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 240W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 26/81nS
- Входная емкость (Сiss): 1800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.2 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC45 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | - | 1500pF | 1.25 Ом | TO247 | SDF9NA80 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | | | 1.4 Ом | N/A | SML801R2AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 800V | | | 8A | 26/81nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO3 | SML801R4BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 8.5A | 26/81nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO247 | SML8090AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 800V | | | 10.5A | 27/94nS | 2950pF | 0.9 Ом | TO3 | SML8090HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 800V | | | 10.5A | 30/96nS | 2950pF | 0.9 Ом | TO258 | SSH10N80A |
MOSFET | N-Channel | 280W | 800V | | | 10A | 172nS | 2700pF | 0.95 Ом | TO-3P | SSH10N90A |
MOSFET | N-Channel | 280W | 900V | | | 10A | 176nS | 2770pF | 1.2 Ом | TO-3P | SSH8N80A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 8A | 127nS | 2020pF | 1.5 Ом | TO-3P | SSH8N90A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 900V | | | 8A | 130nS | 2070pF | 1.6 Ом | TO-3P | SSH9N80A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | 127nS | 2020pF | 1.3 Ом | TO-3P | SSH9N90A |
MOSFET | N-Channel | 280W | 900V | | | 9A | 176nS | 2770pF | 1.4 Ом | TO-3P | |
|
|
|