vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML6060AN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML6060AN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 198W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 25/77nS
    • Входная емкость (Сiss): 1800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC52 MOSFETN-Channel180W500V 9.5A-740pF0.85 ОмTO247
    SML501R1BN MOSFETN-Channel180W500V 9A20/48nS950pF1.1 ОмTO247
    SML5050AN MOSFETN-Channel198W500V 13A24/77nS1800pF0.5 ОмTO3
    SML5085BN MOSFETN-Channel180W500V 9.5A20/48nS950pF0.85 ОмTO247
    SML6070AN MOSFETN-Channel198W600V 10.5A25/77nS1800pF0.7 ОмTO3
    SSH10N60A MOSFETN-Channel193W600V 10A95nS1750pF0.8 ОмTO-3P
    STH12N60 MOSFETN-Channel180W600V 12A TO-218
    Яндекс.Метрика