|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STH12N60Основные параметры полевого транзистора STH12N60 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-218
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N7103 |
MOSFET | N-channel | 150W | 650V | | | 14A | | 4000pF | 0.055 Ом | TO-210 | 2N7228JV |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 103nS | 2410 | 0.415 Ом | SMD2 | 2N7228JX |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 103nS | 2410 | 0.415 Ом | SMD2 | APT5030AVR |
MOSFET | N-Channel | 155W | 500V | | | 14.7A | 110nS | 2650 | 0.3 Ом | SMD2 | APT5032CVR |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 14A | 110nS | 2650 | 0.32 Ом | SMD2 | APT5040CNR |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 13A | 71nS | 1430 | 0.4 Ом | SMD2 | APT6045CVR |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 11.8A | 115nS | 2600 | 0.45 Ом | SMD2 | IRF450 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | 35/170nS | 2700pF | 0.5 Ом | TO3 | IRF452 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | - | - | 0.5 Ом | TO3 | IRFP452 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 12A | - | - | 0.5 Ом | SOT93 | SDF10N60 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 10A | | | 0.6 Ом | N/A | SDF450JAA |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 13A | | | 0.4 Ом | N/A | SDF450JAB |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 13A | | | 0.4 Ом | N/A | SML5040AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 500V | | | 14.5A | 24/77nS | 1800pF | 0.4 Ом | TO3 | SML5040CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 13A | 28/66nS | 1800pF | 0.4 Ом | TO254 | SML5050AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 500V | | | 13A | 24/77nS | 1800pF | 0.5 Ом | TO3 | SML5050CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 11.5A | 28/66nS | 1800pF | 0.5 Ом | TO254 | SML50A15 |
MOSFET | N-Channel | 155W | 500V | | | 14.7A | 10/43nS | 2650pF | 0.30 Ом | TO-3 | SML50C13N |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 13A | | 1430pF | 0.4 Ом | TO-254 | SML6060AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 600V | | | 11.5A | 25/77nS | 1800pF | 0.6 Ом | TO3 | SML6060CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | | 10.5A | 26/70nS | 1800pF | 0.6 Ом | TO254 | SML6070AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 600V | | | 10.5A | 25/77nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO3 | SSH10N60A |
MOSFET | N-Channel | 193W | 600V | | | 10A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-3P | SSH10N70 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | SSH10N70A |
MOSFET | N-Channel | 150W | 700V | | | 10A | | | | TO-3P | |
|
|
|