|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH10N60AОсновные параметры полевого транзистора SSH10N60A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 193W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 95nS
- Входная емкость (Сiss): 1750pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC52 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | - | 740pF | 0.85 Ом | TO247 | IRFP440A |
MOSFET | N-Channel | 162W | 500V | | | 8.5A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3P | SML501R1BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO247 | SML5085BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 500V | | | 9.5A | 20/48nS | 950pF | 0.85 Ом | TO247 | SML6060AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 600V | | | 11.5A | 25/77nS | 1800pF | 0.6 Ом | TO3 | SML6070AN |
MOSFET | N-Channel | 198W | 600V | | | 10.5A | 25/77nS | 1800pF | 0.7 Ом | TO3 | SSP10N60A |
MOSFET | N-Channel | 156W | 600V | | | 9A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-220 | STH12N60 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 600V | | | 12A | | | | TO-218 | |
|
|
|