vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML801R4AN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML801R4AN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 198W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 26/81nS
    • Входная емкость (Сiss): 1800pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SML801R2AN MOSFETN-Channel198W800V 8A26/81nS1800pF1.2 ОмTO3
    SSH6N80AS MOSFETN-Channel200W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-3P
    SSH6N90A MOSFETN-Channel200W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-3P
    SSH7N80A MOSFETN-Channel200W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-3P
    SSP6N80A MOSFETN-Channel160W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-220
    SSP6N90A MOSFETN-Channel160W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-220
    SSP7N80A MOSFETN-Channel160W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика