vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH6N80AS
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSH6N80AS

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 92nS
    • Входная емкость (Сiss): 1500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC46 MOSFETN-Channel180W800V 5.5A-790pF2.50 ОмTO247
    SML801R4AN MOSFETN-Channel198W800V 7.5A26/81nS1800pF1.4 ОмTO3
    SML802R4BN MOSFETN-Channel180W800V 5.5A20/53nS950pF2.4 ОмTO247
    SML802R8BN MOSFETN-Channel180W800V 5A20/53nS950pF2.8 ОмTO247
    SML802R8KN MOSFETN-Channel180W800V 5A20/47nS950pF2.8 ОмTO220
    SSH5N80A MOSFETN-Channel160W800V 5A72nS1105pF2.2 ОмTO-3P
    SSH5N90A MOSFETN-Channel160W900V 5A74nS1110pF2.9 ОмTO-3P
    SSH6N90A MOSFETN-Channel200W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-3P
    SSH7N80A MOSFETN-Channel200W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-3P
    SSH7N90A MOSFETN-Channel240W900V 7A130nS2070pF1.8 ОмTO-3P
    SSP6N80A MOSFETN-Channel160W800V 6A92nS1500pF2 ОмTO-220
    SSP6N90A MOSFETN-Channel160W900V 6A95nS1560pF2.3 ОмTO-220
    SSP7N80A MOSFETN-Channel160W800V 7A92nS1500pF1.8 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика