|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP7N80AОсновные параметры полевого транзистора SSP7N80A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 160W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 92nS
- Входная емкость (Сiss): 1500pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSDF6N90 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 900V | | | 6A | | | 1.4 Ом | N/A | SML801R2CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 7A | 24/78nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO254 | SML801R4CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 6.5A | 24/78nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO254 | SSH6N70A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-3P | SSI6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | I2PAK | SSP6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-220 | SSP6N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-220 | SSP6N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-220 | SSW6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-263 | |
|
|
|