|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML802R8KNОсновные параметры полевого транзистора SML802R8KN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 20/47nS
- Входная емкость (Сiss): 950pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.8 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBFC46 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | - | 790pF | 2.50 Ом | TO247 | SDF6N90 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 900V | | | 6A | | | 1.4 Ом | N/A | SML801R4CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 6.5A | 24/78nS | 1800pF | 1.4 Ом | TO254 | SML802R4AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO3G | SML802R4BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO247 | SML802R8AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 4.5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO3 | SML802R8BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO247 | SSH5N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 5A | 72nS | 1105pF | 2.2 Ом | TO-3P | SSH5N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-3P | SSH6N80AS |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-3P | SSH6N90A |
MOSFET | N-Channel | 200W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-3P | SSP6N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-220 | SSP6N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-220 | |
|
|
|