|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML801R4CNОсновные параметры полевого транзистора SML801R4CN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 24/78nS
- Входная емкость (Сiss): 1800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO254
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6913 |
MOSFET | N-channel | 125W | 800V | | | 5.3A | | 5000pF | 2 Ом | TO-3 | 2N6913A |
MOSFET | N-channel | 125W | 800V | | | 6A | | 5000pF | 1.5 Ом | TO-3 | BFC46 |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | - | 790pF | 2.50 Ом | TO247 | SDF6N90 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 900V | | | 6A | | | 1.4 Ом | N/A | SML801R2CN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 7A | 24/78nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO254 | SML802R4AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO3G | SML802R4BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5.5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO247 | SML802R8BN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO247 | SML802R8KN |
MOSFET | N-Channel | 180W | 800V | | | 5A | 20/47nS | 950pF | 2.8 Ом | TO220 | SSH5N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 5A | 72nS | 1105pF | 2.2 Ом | TO-3P | SSH5N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-3P | SSH6N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 6A | | | | TO-3P | SSH6N70A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-3P | SSI5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | I2PAK | SSI5N90A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | I2PAK | SSI6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | I2PAK | SSP5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-220 | SSP5N90A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-220 | SSP6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-220 | SSP6N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 6A | 92nS | 1500pF | 2 Ом | TO-220 | SSP6N90A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 900V | | | 6A | 95nS | 1560pF | 2.3 Ом | TO-220 | SSP7N80A |
MOSFET | N-Channel | 160W | 800V | | | 7A | 92nS | 1500pF | 1.8 Ом | TO-220 | SSW5N80A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 5A | 72nS | 1100pF | 2.2 Ом | TO-263 | SSW5N90A |
MOSFET | N-Channel | 140W | 900V | | | 5A | 74nS | 1110pF | 2.9 Ом | TO-263 | SSW6N70A |
MOSFET | N-Channel | 130W | 700V | | | 6A | 54nS | 920pF | 1.8 Ом | TO-263 | STP5N80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 5.5A | | | 2.000 Ом | TO-220 | STP5N90 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 900V | | | 5A | | | 2.400 Ом | TO-220 | STP6NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 5.7A | | | 1.900 Ом | TO-220 | |
|
|
|