|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP1N50AОсновные параметры полевого транзистора SSP1N50A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 36W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 16nS
- Входная емкость (Сiss): 220pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5.5 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF712 |
MOSFET | N-Channel | 36W | 400V | | | 1.7A | 27/49nS | | | TO-220 | PHX3N50E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 1.7A | | | 3 Ом | SOT186A | PHX3N60E |
MOSFET | N-Channel | 30W | 600V | | | 1.4A | | | 4.4 Ом | SOT186A | SFU9310 |
MOSFET | P-Channel | 36W | 400V | | | 1.5A | 21nS | 300pF | 8 Ом | IPAK | SSI1N50A |
MOSFET | N-Channel | 36W | 500V | | | 1.5A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | I2PAK | SSI1N60A |
MOSFET | N-Channel | 34W | 600V | | | 1A | 11nS | 145pF | 12 Ом | I2PAK | SSP1N60A |
MOSFET | N-Channel | 34W | 600V | | | 1A | 11nS | 145pF | 12 Ом | TO-220 | SSW1N50A |
MOSFET | N-Channel | 36W | 500V | | | 1.5A | 16nS | 220pF | 5.5 Ом | TO-263 | SSW1N60A |
MOSFET | N-Channel | 34W | 600V | | | 1A | 11nS | 145pF | 12 Ом | TO-263 | |
|
|
|