vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHX3N60E
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора PHX3N60E

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.4 Ом
    • Производитель: PHILIPS
    • Тип корпуса: SOT186A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    PHX2N50E MOSFETN-Channel25W500V 1A 5 ОмSOT186A
    PHX2N60E MOSFETN-Channel25W600V 1.3A 6 1 ОмSOT186A
    PHX3N50E MOSFETN-Channel30W500V 1.7A 3 ОмSOT186A
    SSI1N50A MOSFETN-Channel36W500V 1.5A16nS220pF5.5 ОмI2PAK
    SSI1N60A MOSFETN-Channel34W600V 1A11nS145pF12 ОмI2PAK
    SSP1N50A MOSFETN-Channel36W500V 1.5A16nS220pF5.5 ОмTO-220
    SSP1N60A MOSFETN-Channel34W600V 1A11nS145pF12 ОмTO-220
    SSR1N50A MOSFETN-Channel26W500V 1.3A16nS220pF5.5 ОмDPAK
    SSU1N50A MOSFETN-Channel26W500V 1.3A16nS220pF5.5 ОмIPAK
    SSW1N50A MOSFETN-Channel36W500V 1.5A16nS220pF5.5 ОмTO-263
    SSW1N60A MOSFETN-Channel34W600V 1A11nS145pF12 ОмTO-263
    STP3N50XI MOSFETN-Channel25W500V 1.7A 4.000 ОмISOWATT221
    Яндекс.Метрика