Справка

Основные параметры полевого транзистора PHX3N50E

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.7A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3 Ом
  
• Производитель: PHILIPS
  
• Тип корпуса: SOT186A
• Найти datasheet