vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP2N60A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSP2N60A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 54W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 21nS
    • Входная емкость (Сiss): 315pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFI820A MOSFETN-Channel49W500V 2.5A26nS390pF3 ОмI2PAK
    IRFW820A MOSFETN-Channel49W500V 2.5A26nS390pF3 ОмTO-263
    SDF420 MOSFETN-Channel50W500V 2.5A 3 ОмN/A
    SSI2N60A MOSFETN-Channel54W600V 2A21nS315pF5 ОмI2PAK
    SSW2N60A MOSFETN-Channel54W600V 2A21nS315pF5 ОмTO-263
    STK2N50 MOSFETN-Channel50W500V 2A 6.000 ОмSOT-82
    STK3N50 MOSFETN-Channel60W500V 2.7A 3.800 ОмSOT-82
    STK3NA50 MOSFETN-Channel50W500V 2.7A 3.800 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика