|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSW2N60AОсновные параметры полевого транзистора SSW2N60A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 54W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 21nS
- Входная емкость (Сiss): 315pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 5 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-263
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFI820A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 500V | | | 2.5A | 26nS | 390pF | 3 Ом | I2PAK | IRFW820A |
MOSFET | N-Channel | 49W | 500V | | | 2.5A | 26nS | 390pF | 3 Ом | TO-263 | SDF420 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2.5A | | | 3 Ом | N/A | SSI2N60A |
MOSFET | N-Channel | 54W | 600V | | | 2A | 21nS | 315pF | 5 Ом | I2PAK | SSP2N60A |
MOSFET | N-Channel | 54W | 600V | | | 2A | 21nS | 315pF | 5 Ом | TO-220 | STK2N50 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2A | | | 6.000 Ом | SOT-82 | STK3N50 |
MOSFET | N-Channel | 60W | 500V | | | 2.7A | | | 3.800 Ом | SOT-82 | STK3NA50 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 500V | | | 2.7A | | | 3.800 Ом | SOT-82 | |
|
|
|