vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STK3N50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STK3N50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3.800 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: SOT-82
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF722 MOSFETN-Channel50W400V 2.8A--2.5 ОмTO220
    IRF821 MOSFETN-Channel50W450V 2.5A--3.0 ОмTO220
    IRF823 MOSFETN-Channel50W450V 2.2A--4.0 ОмTO220
    IRFI820A MOSFETN-Channel49W500V 2.5A26nS390pF3 ОмI2PAK
    IRFW820A MOSFETN-Channel49W500V 2.5A26nS390pF3 ОмTO-263
    SDF420 MOSFETN-Channel50W500V 2.5A 3 ОмN/A
    SSI2N60A MOSFETN-Channel54W600V 2A21nS315pF5 ОмI2PAK
    SSP2N60A MOSFETN-Channel54W600V 2A21nS315pF5 ОмTO-220
    SSW2N60A MOSFETN-Channel54W600V 2A21nS315pF5 ОмTO-263
    STK2N50 MOSFETN-Channel50W500V 2A 6.000 ОмSOT-82
    STK3NA50 MOSFETN-Channel50W500V 2.7A 3.800 ОмSOT-82
    STP2N60 MOSFETN-Channel70W600V 2.9A 3.500 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика