|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK12P60WОсновные параметры полевого транзистора TK12P60W - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.34 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| TK10V60W |
MOSFET | N-channel | 88.3W | 600V | | | 9.7A | | | 0.38 Ом | DFN 8×8 | | TK12V60W |
MOSFET | N-channel | 104W | 600V | | | 11.5A | | | 0.3 Ом | DFN 8×8 | | TK10P60W |
MOSFET | N-channel | 80W | 600V | | | 9.7A | | | 0.43 Ом | DPAK | | TK12Q60W |
MOSFET | N-channel | 100W | 600V | | | 11.5A | | | 0.34 Ом | IPAK | | TK10E60W |
MOSFET | N-channel | 100W | 600V | | | 9.7A | | | 0.38 Ом | TO-220 | | TK12E60W |
MOSFET | N-channel | 110W | 600V | | | 11.5A | | | 0.3 Ом | TO-220 | | TK12J60W |
MOSFET | N-channel | 110W | 600V | | | 11.5A | | | 0.3 Ом | TO-3P(N) | |
|
|
|