vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK12J60W

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора TK12J60W

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 110W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
Производитель: Toshiba
Тип корпуса: TO-3P(N)
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
TK14G65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	D2PAK
TK14G65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	D2PAK
TK10V60W	MOSFET	N-channel	88.3W	600V			9.7A			0.38 Ом	DFN 8×8
TK12V60W	MOSFET	N-channel	104W	600V			11.5A			0.3 Ом	DFN 8×8
TK12P60W	MOSFET	N-channel	100W	600V			11.5A			0.34 Ом	DPAK
TK14C65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	I2PAK
TK14C65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	I2PAK
TK12Q60W	MOSFET	N-channel	100W	600V			11.5A			0.34 Ом	IPAK
TK10E60W	MOSFET	N-channel	100W	600V			9.7A			0.38 Ом	TO-220
TK12E60W	MOSFET	N-channel	110W	600V			11.5A			0.3 Ом	TO-220
TK14E65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	TO-220
TK14E65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	TO-220
TK14N65W	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.25 Ом	TO-247
TK14N65W5	MOSFET	N-channel	130W	650V			13.7A			0.3 Ом	TO-247