|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB516Основные параметры биполярного транзистора 2SB516 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 110
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: HITACHI
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1854 |
Ge | pnp | 150mW | 20V | - | - | 100mA | 40MHz | 40 (min) | TO5 | | 2N2622 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2625 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2628 |
Ge | pnp | 150mW | 24V | - | - | 100mA | 15MHz | 15 (min) | TO5 | | 2SB48 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1MHz | 42 | TO5 | | 2SB49 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1.2MHz | 83 | TO5 | | 2SB50 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1.5MHz | 130 | TO5 | | GS121B |
Ge | pnp | 150mW | 20V | - | - | 100mA | - | 30 (min) | TO39 | | GS121C |
Ge | pnp | 150mW | 20V | - | - | 100mA | - | 60 (min) | TO39 | | GS121D |
Ge | pnp | 150mW | 20V | - | - | 100mA | - | 90 (min) | TO39 | | GT5117 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | ## | ## | 100mA | 40MHz | 20 (min) | TO9 | |
|
|
|