vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT10025JVFR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT10025JVFR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 700W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 34A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 300nS
    • Входная емкость (Сiss): 12400
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.250 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT10025JVR MOSFETN-Channel700W1000V 34A 150000.250 ОмN/A
    APT10025PVR MOSFETN-Channel625W1000V 33A660nS150000.25 ОмN/A
    APT10026JN MOSFETN-Channel690W1000V 33A465nS16100.260 ОмN/A
    APT8018JN MOSFETN-Channel690W800V 40A468nS17150.180 ОмISOTOP
    BFC15 MOSFETN-Channel690W1000V 33A40/105nS14000pF0.26 ОмSOT227
    BFC16 MOSFETN-Channel690W800V 40A40/25nS14000pF0.18 ОмSOT227
    SML10026DFN MOSFETN-Channel830W1000V 36A38/190nS13000pF0.26 ОмF-Pack
    SML100J34 MOSFETN-Channel700W1000V 34A22/97nS15000pF0.25 ОмSOT-227
    SML8030CFN MOSFETN-Channel595W800V 29A32/76nS6500pF0.3 ОмF-Pack
    Яндекс.Метрика