|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML8030CFNОсновные параметры полевого транзистора SML8030CFN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 595W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 29A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 32/76nS
- Входная емкость (Сiss): 6500pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: F-Pack
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT8028JVR |
MOSFET | N-Channel | 500W | 800V | | | 28A | | 7700 | 0.280 Ом | N/A | APT8030B2VFR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 300nS | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030B2VR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030JN |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 245nS | 5780 | 0.300 Ом | N/A | APT8030LVFR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 300nS | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030LVR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | | 6600 | 0.300 Ом | N/A | SML80J28 |
MOSFET | N-Channel | 500W | 800V | | | 28A | 12/43nS | 7400pF | 0.28 Ом | SOT-227 | SML80L27 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 16/59nS | 6600pF | 0.3 Ом | TO-264 | SML80T27 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 16/59nS | 6600pF | 0.3 Ом | TO-247 | |
|
|
|