|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT10025PVRОсновные параметры полевого транзистора APT10025PVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 625W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 33A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 660nS
- Входная емкость (Сiss): 15000
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.25 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT10025JVFR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 1000V | | | 34A | 300nS | 12400 | 0.250 Ом | N/A | APT10025JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 1000V | | | 34A | | 15000 | 0.250 Ом | N/A | APT10026JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 1000V | | | 33A | 465nS | 1610 | 0.260 Ом | N/A | APT8028JVR |
MOSFET | N-Channel | 500W | 800V | | | 28A | | 7700 | 0.280 Ом | N/A | APT8030B2VFR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 300nS | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030B2VR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030JN |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 245nS | 5780 | 0.300 Ом | N/A | APT8030LVFR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 300nS | 6600 | 0.300 Ом | N/A | APT8030LVR |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | | 6600 | 0.300 Ом | N/A | BFC15 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 1000V | | | 33A | 40/105nS | 14000pF | 0.26 Ом | SOT227 | SML100J34 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 1000V | | | 34A | 22/97nS | 15000pF | 0.25 Ом | SOT-227 | SML8030CFN |
MOSFET | N-Channel | 595W | 800V | | | 29A | 32/76nS | 6500pF | 0.3 Ом | F-Pack | SML80J28 |
MOSFET | N-Channel | 500W | 800V | | | 28A | 12/43nS | 7400pF | 0.28 Ом | SOT-227 | SML80L27 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 16/59nS | 6600pF | 0.3 Ом | TO-264 | SML80T27 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 800V | | | 27A | 16/59nS | 6600pF | 0.3 Ом | TO-247 | |
|
|
|