vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT10026JN
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT10026JN

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 690W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 33A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 465nS
    • Входная емкость (Сiss): 1610
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.260 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT10025JVFR MOSFETN-Channel700W1000V 34A300nS124000.250 ОмN/A
    APT10025JVR MOSFETN-Channel700W1000V 34A 150000.250 ОмN/A
    APT10025PVR MOSFETN-Channel625W1000V 33A660nS150000.25 ОмN/A
    BFC15 MOSFETN-Channel690W1000V 33A40/105nS14000pF0.26 ОмSOT227
    SML100J34 MOSFETN-Channel700W1000V 34A22/97nS15000pF0.25 ОмSOT-227
    SML8030CFN MOSFETN-Channel595W800V 29A32/76nS6500pF0.3 ОмF-Pack
    Яндекс.Метрика