vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT8030B2VR

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора APT8030B2VR

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 520W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 27A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 6600
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.300 Ом
Производитель: Advanced Power
Тип корпуса: N/A
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
APT8028JVR	MOSFET	N-Channel	500W	800V			28A		7700	0.280 Ом	N/A
APT8030B2VFR	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A	300nS	6600	0.300 Ом	N/A
APT8030JN	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A	245nS	5780	0.300 Ом	N/A
APT8030JVFR	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A	300nS	5500	0.300 Ом	N/A
APT8030JVR	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A		6600	0.300 Ом	N/A
APT8030LVFR	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A	300nS	6600	0.300 Ом	N/A
APT8030LVR	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A		6600	0.300 Ом	N/A
SML8030CFN	MOSFET	N-Channel	595W	800V			29A	32/76nS	6500pF	0.3 Ом	F-Pack
SML80J25	MOSFET	N-Channel	450W	800V			25A	16/59nS	6600pF	0.3 Ом	SOT-227
SML80J28	MOSFET	N-Channel	500W	800V			28A	12/43nS	7400pF	0.28 Ом	SOT-227
SML80L27	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A	16/59nS	6600pF	0.3 Ом	TO-264
SML80T27	MOSFET	N-Channel	520W	800V			27A	16/59nS	6600pF	0.3 Ом	TO-247