Справка

Основные параметры полевого транзистора APT8030JN

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 520W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 27A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 245nS
  
• Входная емкость (Сiss): 5780
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.300 Ом
  
• Производитель: Advanced Power
  
• Тип корпуса: N/A
• Найти datasheet