vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML80J28
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SML80J28

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 28A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 12/43nS
    • Входная емкость (Сiss): 7400pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.28 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT8028JVR MOSFETN-Channel500W800V 28A 77000.280 ОмN/A
    APT8030B2VFR MOSFETN-Channel520W800V 27A300nS66000.300 ОмN/A
    APT8030B2VR MOSFETN-Channel520W800V 27A 66000.300 ОмN/A
    APT8030JN MOSFETN-Channel520W800V 27A245nS57800.300 ОмN/A
    APT8030JVFR MOSFETN-Channel450W800V 25A300nS55000.300 ОмN/A
    APT8030JVR MOSFETN-Channel450W800V 25A 66000.300 ОмN/A
    APT8030LVFR MOSFETN-Channel520W800V 27A300nS66000.300 ОмN/A
    APT8030LVR MOSFETN-Channel520W800V 27A 66000.300 ОмN/A
    SML8030CFN MOSFETN-Channel595W800V 29A32/76nS6500pF0.3 ОмF-Pack
    SML80J25 MOSFETN-Channel450W800V 25A16/59nS6600pF0.3 ОмSOT-227
    SML80L27 MOSFETN-Channel520W800V 27A16/59nS6600pF0.3 ОмTO-264
    SML80T27 MOSFETN-Channel520W800V 27A16/59nS6600pF0.3 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика