vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT8065AVR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT8065AVR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 150nS
    • Входная емкость (Сiss): 3050
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.65 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: SMD2
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT8067HVR MOSFETN-Channel200W800V 11.5A150nS30500.67 ОмSMD2
    BFC22 MOSFETN-Channel230W800V 11.5A-2410pF0.75 ОмTO264AA
    BFC45 MOSFETN-Channel240W800V 9A-1500pF1.25 ОмTO247
    SDF9NA80 MOSFETN-Channel240W800V 9A 1.4 ОмN/A
    SML801R2BN MOSFETN-Channel240W800V 9A26/81nS1800pF1.2 ОмTO247
    SML8075AN MOSFETN-Channel230W800V 11.5A27/94nS2950pF0.75 ОмTO3
    SML8090AN MOSFETN-Channel230W800V 10.5A27/94nS2950pF0.9 ОмTO3
    SML80A12 MOSFETN-Channel200W800V 11.5A12/60nS3050pF0.65 ОмTO-3
    SML80H12 MOSFETN-Channel200W800V 11.5A 3050pF0.67 ОмTO-258
    SSH9N80A MOSFETN-Channel240W800V 9A127nS2020pF1.3 ОмTO-3P
    Яндекс.Метрика