|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT8067HVRОсновные параметры полевого транзистора APT8067HVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 150nS
- Входная емкость (Сiss): 3050
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.67 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: SMD2
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT8065AVR |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 11.5A | 150nS | 3050 | 0.65 Ом | SMD2 | BFC22 |
MOSFET | N-Channel | 230W | 800V | | | 11.5A | - | 2410pF | 0.75 Ом | TO264AA | BFC45 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | - | 1500pF | 1.25 Ом | TO247 | SDF9NA80 |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | | | 1.4 Ом | N/A | SML801R2BN |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | 26/81nS | 1800pF | 1.2 Ом | TO247 | SML8075AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 800V | | | 11.5A | 27/94nS | 2950pF | 0.75 Ом | TO3 | SML8090AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 800V | | | 10.5A | 27/94nS | 2950pF | 0.9 Ом | TO3 | SML80A12 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 11.5A | 12/60nS | 3050pF | 0.65 Ом | TO-3 | SML80H12 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 800V | | | 11.5A | | 3050pF | 0.67 Ом | TO-258 | SSH9N80A |
MOSFET | N-Channel | 240W | 800V | | | 9A | 127nS | 2020pF | 1.3 Ом | TO-3P | |
|
|
|