vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BFC62
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BFC62

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): 790pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.40 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT802R4KN MOSFETN-Channel125W800V 4.7A38nS7902.400 ОмN/A
    SDF4N90JAA MOSFETN-Channel100W900V 4A 2.4 ОмN/A
    SDF4N90JAB MOSFETN-Channel100W900V 4A 2.4 ОмN/A
    SML802R4CN MOSFETN-Channel125W800V 4.5A20/53nS950pF2.4 ОмTO254
    SML802R4GN MOSFETN-Channel100W800V 4.3A20/53nS950pF2.4 ОмTO257
    SML802R4KN MOSFETN-Channel125W800V 4.7A20/53nS950pF2.4 ОмTO220
    SML802R8AN MOSFETN-Channel150W800V 4.5A20/53nS950pF2.8 ОмTO3
    SML802R8CN MOSFETN-Channel125W800V 4A20/53nS950pF2.8 ОмTO254
    SML802R8GN MOSFETN-Channel100W800V 4A20/53nS950pF2.8 ОмTO257
    SSH4N70 MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-3P
    SSH4N70A MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-3P
    SSH4N80AS MOSFETN-Channel140W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-3P
    SSH4N90AS MOSFETN-Channel140W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-3P
    SSI4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмI2PAK
    SSI4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмI2PAK
    SSI4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмI2PAK
    SSI4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмI2PAK
    SSP4N70 MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-220
    SSP4N70A MOSFETN-Channel125W700V 4A TO-220
    SSP4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-220
    SSP4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-220
    SSP4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-220
    SSP4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-220
    SSW4N80A MOSFETN-Channel120W800V 4A44nS700pF4 ОмTO-263
    SSW4N80AS MOSFETN-Channel130W800V 4.5A56nS880pF3 ОмTO-263
    SSW4N90A MOSFETN-Channel120W900V 4A48nS730pF5 ОмTO-263
    SSW4N90AS MOSFETN-Channel130W900V 4.5A57nS910pF3.7 ОмTO-263
    STP5NA80 MOSFETN-Channel125W800V 4.8A 2.400 ОмTO-220
    STV5NA80 MOSFETN-Channel125W800V 4.7A 2.400 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика