|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSH4N70AОсновные параметры полевого транзистора SSH4N70A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 700V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| APT802R4KN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | 38nS | 790 | 2.400 Ом | N/A | | BFC62 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | - | 790pF | 2.40 Ом | TO220 | | SML802R4CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.5A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO254 | | SML802R4GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4.3A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO257 | | SML802R4KN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | 20/53nS | 950pF | 2.4 Ом | TO220 | | SML802R8AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 800V | | | 4.5A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO3 | | SML802R8CN |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO254 | | SML802R8GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 4A | 20/53nS | 950pF | 2.8 Ом | TO257 | | SSH4N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-3P | | SSH4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 140W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-3P | | SSI4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | I2PAK | | SSI4N80A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 800V | | | 4A | 44nS | 700pF | 4 Ом | I2PAK | | SSI4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | I2PAK | | SSP4N60AS |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-220 | | SSP4N70 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-220 | | SSP4N70A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 700V | | | 4A | | | | TO-220 | | SSP4N80A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 800V | | | 4A | 44nS | 700pF | 4 Ом | TO-220 | | SSP4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-220 | | SSW4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-263 | | SSW4N80A |
MOSFET | N-Channel | 120W | 800V | | | 4A | 44nS | 700pF | 4 Ом | TO-263 | | SSW4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 130W | 800V | | | 4.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-263 | | STP4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.3A | | | 2.200 Ом | TO-220 | | STP5NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.8A | | | 2.400 Ом | TO-220 | | STV4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.4A | | | 2.200 Ом | PowerSO-10 | | STV5NA80 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 800V | | | 4.7A | | | 2.400 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|