vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ901P
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUZ901P

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): 500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO247
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUK455-200A MOSFETN-Channel125W200V 7A 0.23 ОмSOT78
    BUK465-200A MOSFETN-Channel125W200V 7A 0.23 ОмSOT404
    BUK555-200A MOSFETN-Channel125W200V 7A 0.23 ОмSOT78
    BUZ900 MOSFETN-Channel125W160V 8A-500pF- ОмTO3
    BUZ900P MOSFETN-Channel125W160V 8A-500pF- ОмTO247
    BUZ901 MOSFETN-Channel125W200V 8A-500pF- ОмTO3
    BUZ902 MOSFETN-Channel125W220V 8A--- ОмTO3
    BUZ902P MOSFETN-Channel125W220V 8A--- ОмTO247
    BUZ905 MOSFETP-Channel125W160V 8A120/60nS734pF- ОмTO3
    BUZ905P MOSFETP-Channel125W160V 8A120/60nS734pF- ОмTO247
    BUZ906 MOSFETP-Channel125W200V 8A120/60nS734pF- ОмTO3
    BUZ906P MOSFETP-Channel125W200V 8A120/60nS734pF- ОмTO247
    BUZ907 MOSFETP-Channel125W220V 8A--- ОмTO3
    BUZ907P MOSFETP-Channel125W220V 8A--- ОмTO247
    IRF9642 MOSFETP-Channel125W200V 9A45/30nS TO-220
    IRFP9242 MOSFETP-Channel125W200V 9A TO-3P
    Яндекс.Метрика