vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9642
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF9642

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 45/30nS
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUK456-200A MOSFETN-Channel150W200V 10A 0.16 ОмSOT78
    BUK456-200B MOSFETN-Channel150W200V 10A 0.2 ОмSOT78
    BUK466-200A MOSFETN-Channel150W200V 10A 0.16 ОмSOT404
    BUZ900 MOSFETN-Channel125W160V 8A-500pF- ОмTO3
    BUZ900P MOSFETN-Channel125W160V 8A-500pF- ОмTO247
    BUZ901 MOSFETN-Channel125W200V 8A-500pF- ОмTO3
    BUZ901P MOSFETN-Channel125W200V 8A-500pF- ОмTO247
    BUZ902 MOSFETN-Channel125W220V 8A--- ОмTO3
    BUZ902P MOSFETN-Channel125W220V 8A--- ОмTO247
    BUZ905 MOSFETP-Channel125W160V 8A120/60nS734pF- ОмTO3
    BUZ905P MOSFETP-Channel125W160V 8A120/60nS734pF- ОмTO247
    BUZ906 MOSFETP-Channel125W200V 8A120/60nS734pF- ОмTO3
    BUZ906P MOSFETP-Channel125W200V 8A120/60nS734pF- ОмTO247
    BUZ907 MOSFETP-Channel125W220V 8A--- ОмTO3
    BUZ907P MOSFETP-Channel125W220V 8A--- ОмTO247
    IRFP9242 MOSFETP-Channel125W200V 9A TO-3P
    Яндекс.Метрика